DDR存储器系统是消费电子的核心

在当今的消费电子市场中,设计师面对6个月的设计窗口以在12个月的时间内实现生产并不少见。这些消费者细分市场中的设计师面临的问题之一是,营销人员根本不知道哪些功能将成为赢家。至于消费者领域,急剧变化的功能集比性能要有价值得多,而性能只是功能集中的功能之一。未获得正确功能集的惩罚是无法找到客户的产品。结 ...

宇芯电子 @ 2020/07/30

MRAM独特功能替换现有内存

在所有常年兴起的记忆中,MRAM似乎最有可能濒临大规模,广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点,在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而,从工艺和材料角度来看,它的确面临着一系列制造挑战,因为它 ...

宇芯电子 @ 2020/07/30

静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战

SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来,SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”(DSA),每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MR ...

宇芯电子 @ 2020/07/29

DDR5 SDRAM规格发布:大容量满足极速

半导体工程组织JEDEC为动态随机存取存储器(DRAM)设定了标准,该组织上周发布了最终的JESD79-5DDR5规范。新型存储器是其每引脚数据传输速度的两倍,其存储设备的容量增加了四倍,降低了工作电压,并引入了多种方法来提高瘦节点上DRAM的可靠性-并降低功耗。JEDEC说,DDR5 SDRAM将 ...

宇芯电子 @ 2020/07/27

FRAM的未来是更高的密度

最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM,MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM(FRAM)在小型利基设备中得到了成功。去年对新兴内存年报,吹捧的ReRAM,MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出,FRAM已在诸如大众运输卡,游戏系统和功率计之类的 ...

宇芯电子 @ 2020/07/24

双端口SRAM中读干扰问题

普通的存储器器件为单端口,也就是数据的输入输出只利用一个端口,设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram,但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等类似需要直接访问存储器或者需要随机访问缓冲器之类的器件之间进行通信的情况。从存储 ...

宇芯电子 @ 2020/07/23

常见存储器分类

存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),两者的功能有较大的区别,因此在描述上也有所不同。存储的基础部分分为ROM和RAM。 常见存储器分 ...

宇芯电子 @ 2020/07/16

按用途分类的SRAM

嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)是现代SoC中的重要组成部分;伴随着工艺前进的脚步,对于SRAM的研究也从未终止过。其中双端口SRAM可以为系统提供更高的通信效率和并行性,随着系统吞吐率的提升应用也越来越广泛。 从用途来看SRAM可以分为独立式SRAM和嵌入式SRAM(e-SRAM),其中独立式 ...

宇芯电子 @ 2020/07/08

双端口SRAM如何提高系统的整体性能

SRAM 以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中,多被用作不同部件之间的缓冲,尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色,即嵌入到CPU 内部的高速缓存(Cache)。计算机的处理速度在高速增长,为了提供足够的数据缓存能力,随着集成电路制造工艺的发展,嵌入式SRAM 的存储单元的面积也在以约0.5 ...

宇芯电子 @ 2020/07/07

非易失性MRAM读写操作

高密度MRAM具有非常低的功率,高的读取速度,非常高的数据保留能力和耐久性,适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米,读取速度为10ns,读取功率为0.8mA/MHz/b,在低功耗待机模式(LPSB)下,其在25C时的泄漏电流小于55mA,相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32 ...

宇芯电子 @ 2020/07/03

意法半导体ST厂商向华为提供车规级MCU

华为5月中旬首次向上汽的量产车型EUNIQ系列供应电机控制器,引起汽车电子行业人士高度关注。华为提供的电机控制器,可以3%的高精度调整电机扭矩和输出控制。经过上汽MAXUS与华为的联合调教,EUNIQ系列纯电版车型0~50km/h加速成绩小于5秒。优异的表现来源于车规级MCU的性能以及华为在电机控制 ...

宇芯电子 @ 2020/07/03

静态SDRAM和动态SDRAM的区别

SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比,可以有一个更复杂的操作模式。下面宇芯电子介绍关于静态SDRAM和动态SDRAM的 ...

宇芯电子 @ 2020/06/24

使用SRAM如何节省芯片面积

SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则就会出现内部数据会消失,因此SRAM存储器具有较高的性能。SRAM虽然只是存储器,但是使用的方法不一样,芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实: (1)1R1W的SRAM面积要 ...

宇芯电子 @ 2020/06/22

不同类别存储器基本原理

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息,统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用 ...

宇芯电子 @ 2020/06/19

串口SRAM和并口SRAM的引脚区别

首先来看一下并口和串口的区别:引脚的区别: 串口SRAM(或其它存储器)通常有如下的示意图: 串口SRAM引脚 引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个,一般遵循SPI协议,并口SRAM引脚很多,串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口(parallel)操作的,也有 ...

宇芯电子 @ 2020/06/18

SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法

SRAM是控制器电路中重要的元器件,控制器硬件出厂时,要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写,可以判断SRAM芯片是否损坏,以及数据线是否虚焊。 为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题;提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法,包括以下步骤: 一、根 ...

宇芯电子 @ 2020/06/16

2020年国内MCU市场有望突破500亿元

MCU是智能控制的主要核心,是目前物联网和汽车电子未来主要增长点。MCU微控制器作为智能控制的核心广泛应用于消费电子、汽车电子、计算机与网络、工业控制等领域,伴随物联网的逐步落地和汽车电子的发展,MCU微控制器的市场需求增长显著。 国内MCU微控制器市场未来五年复合增速达11.7%,至2020年市场 ...

宇芯电子 @ 2020/06/10

MRAM可以替代NOR或SRAM

内存在人工智能解决方案(例如机器学习)的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求,这将需要在网络边缘以及在端点处进行处理和存储以实现IoT和其他应用程序。 如今大多数高性能内存都是易失性的,这意味着当设备断电时,存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率, ...

宇芯电子 @ 2020/06/10

SRAM整体结构图

SRAM大多是由CMOS管组成的挥发性静态存储器。在掉电后存储器中所存数据就会丢失。随机静态存储器可以对任何地址进行读写操作,通过锁存器的原理对数据进行保存,在无操作状况下,锁存器处于稳态,保持数据稳定,不用进行周期性的电荷刷新。SRAM由基本单元构成的阵列以及外围电路构成,其中阵列的划分和外围电路 ...

宇芯电子 @ 2020/06/09

SRAM数据存储原理

静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元,再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中,存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上,在一些大容量的SRAM中,这个比例还要更大一些。因而减小存储单元出的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积 ...

宇芯电子 @ 2020/06/05